利用均匀氧化物层形成于晶体管中的嵌埋Σ形半导体合金

摘要

本发明涉及一种在腔穴蚀刻前利用均匀氧化物层形成于晶体管中的嵌埋∑形半导体合金，在形成需要嵌埋半导体合金的精密晶体管时，例如，藉由提供均匀氧化物层以便减少与制程有关的波动或等候时间变异，基于结晶非等向性蚀刻步骤，可形成有优越均匀性的腔穴。基于APC控制方案，可形成该均匀氧化物层。

主权项

一种形成半导体装置的方法，其包含下列步骤：测定形成于作用区的数个暴露表面区上的氧化物材料的初始厚度，以及利用该初始厚度与预定义目标厚度来控制氧化制程；基于氧化物层的该预定义目标厚度，在该等暴露表面区上利用控制该氧化制程形成该氧化物层，该作用区已有一栅极结构形成于其上；执行由数个湿化学蚀刻制程组成的一顺序以便移除该氧化物层以及在该作用区中形成一腔穴；在该腔穴中形成一半导体材料；以及在该作用区中形成汲极/源极区。