自对准侧壁多晶硅导线制造方法及使用该方法制造的导线

摘要

一种自对准侧壁多晶硅导线的制造方法，包括如下步骤(a)在衬底上形成氮化硅层；(b)对氮化硅层进行蚀刻以得到沟道；(c)在刻有沟道的氮化硅层上形成氧化硅层；(d)去除氧化硅层；(e)去除氮化硅层；(f)在衬底的侧壁上进行多晶硅淀积，以在衬底上形成多晶硅层；(g)去除衬底侧壁之外上的多余多晶硅；(h)在衬底上进行层间绝缘介质膜淀积，以得到介质膜；(i)对所述侧壁上的介质膜进行蚀刻，以蚀刻出接触孔。利用本发明的制造方法所得到的自对准侧壁多晶硅导线的连出结构，其结构简单，适用于深亚微米的多晶硅导线的应用。利用绝缘氧化侧壁形成侧壁多晶硅导线，增加了导线布线的密度。

主权项

一种自对准侧壁多晶硅导线的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)在衬底上进行氮化硅淀积，以在所述衬底上形成氮化硅层；(b)对所述氮化硅层进行蚀刻以得到沟道；(c)对所述刻有沟道的氮化硅层进行氧化硅淀积，以在所述氮化硅层上形成氧化硅层；(d)去除所述沟道外的氧化硅层；(e)去除氧化硅周围的氮化硅层；(f)在所述氧化硅层的侧壁上进行掺杂多晶硅的淀积，以在所述衬底上形成多晶硅层；(g)去除所述氧化硅层侧壁之外上的多余所述多晶硅；(h)在所述衬底上进行层间绝缘介质淀积，以得到介质膜；(i)进行蚀刻，以在氧化硅层侧壁的多晶硅中蚀刻出接触孔。