发明名称 |
转移半导体元件的方法和制造柔性半导体器件的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种转移半导体元件的方法,其用于将形成在非柔性衬底上的半导体元件转移到柔性衬底。此外,本发明还提供了基于转移半导体元件的方法来制造柔性半导体器件的方法。生长或形成在衬底上的半导体元件可以在保持布置的同时有效地转移到树脂层。树脂层用作支撑竖直半导体元件的柔性衬底。 |
申请公布号 |
CN104008991A |
申请公布日期 |
2014.08.27 |
申请号 |
CN201310415442.8 |
申请日期 |
2013.09.12 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
赵恩亨;崔濬熙;孙镇升;文彰烈 |
分类号 |
H01L21/683(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/683(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
张波 |
主权项 |
一种转移半导体元件的方法,包括:在衬底上形成竖直半导体元件;在所述竖直半导体元件的表面上形成无机绝缘层,并且将OH基引入到所述无机绝缘层的表面;在所述无机绝缘层的所述表面上形成两亲性层;在涂有所述两亲性层的所述竖直半导体元件上涂覆可聚合混合物;固化所述可聚合混合物并且将所述可聚合混合物转变为第一树脂层,由此将所述竖直半导体元件嵌入所述第一树脂层中;以及将所述第一树脂层和所述竖直半导体元件一起从所述衬底分离。 |
地址 |
韩国京畿道 |