发明名称 | 与降低信号端口的电容有关的方法和装置 | ||
摘要 | 本发明公开了与降低信号端口的电容有关的方法和装置。在一个总体方面,该装置包括由设置在凸块金属和第一导电类型区域之间的电介质所限定的第一电容器,以及与第一电容器串联且由包括第一导电类型的区域和第二导电类型的区域的PN结限定的第二电容器。第一导电类型的区域可被配置为耦接至具有第一电压的第一节点,第二导电类型的区域可被配置为耦接至具有不同于第一电压的第二电压的第二节点。 | ||
申请公布号 | CN104009025A | 申请公布日期 | 2014.08.27 |
申请号 | CN201410060940.X | 申请日期 | 2014.02.21 |
申请人 | 飞兆半导体公司 | 发明人 | 肯纳斯·P·斯诺顿 |
分类号 | H01L23/64(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/64(2006.01)I |
代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
主权项 | 一种装置,包括:第一电容器,由设置在凸块金属与第一导电类型的区域之间的电介质限定;以及第二电容器,与所述第一电容器串联并且由包括所述第一导电类型的所述区域和第二导电类型的区域的PN结限定,所述第一导电类型的所述区域被配置为耦接至具有第一电压的第一节点,所述第二导电类型的所述区域被配置为耦接至具有不同于所述第一电压的第二电压的第二节点。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |