半导体设备

摘要

本发明公开了一种半导体设备。该半导体设备包括：包括反应腔室、吸附组件和用于向所述反应腔室的内部提供射频功率的射频装置；所述吸附组件位于所述反应腔室的内部，并设置于所述反应腔室的顶部，所述吸附组件用于吸附晶片；所述反应腔室的底部设置有进气口，所述进气口为向所述反应腔室引入工艺气体的通道。本发明中晶片吸附于位于反应腔室顶部的吸附组件上，晶片的镀膜工艺处理表面朝下，这样避免了镀膜工艺处理过程中产生的颗粒或者长时间运行后上极板剥落的颗粒掉落到晶片表面的问题，从而提高了晶片的质量并避免了对晶片外观的影响。

主权项

一种半导体设备，其特征在于，包括反应腔室、吸附组件、用于向所述反应腔室的内部提供射频功率的射频装置、第一真空规、第二真空规、控制器以及排气装置；所述吸附组件位于所述反应腔室的内部，并设置于所述反应腔室的顶部，所述吸附组件用于吸附晶片；所述吸附组件为一顶部开设有多个第一通孔的罩状体，所述罩状体扣设于所述反应腔室的顶部，且所述反应腔室的顶部设置有与所述罩状体相连通的控压抽气出口；所述反应腔室的底部设置有进气口，所述进气口为向所述反应腔室引入工艺气体的通道；所述反应腔室的顶部还设置有位于所述罩状体外围的排气口；所述第一真空规位于所述反应腔室的外部，用于检测所述反应腔室的内部压强；所述第二真空规位于所述反应腔室的外部，用于检测所述罩状体的内部压强；所述控制器与所述第一真空规和所述第二真空规连接，用于根据所述反应腔室的内部压强和所述罩状体的内部压强，控制所述排气装置；所述排气装置与所述控压抽气出口和所述排气口连接，用于在所述控制器的控制下，通过所述控压抽气出口和所述排气口分别对罩状体和反应腔室进行排气，使所述反应腔室的内部压强与所述罩状体的内部压强之差为指定值。