| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种半导体器件，包括：第一阱，嵌入在半导体衬底中；第二阱，嵌入在所述半导体衬底中；栅极结构，在所述第一阱和所述第二阱之上；以及凸起型漏极结构，在所述第二阱之上并与所述第二阱接触并且与所述栅极结构分开，所述凸起型漏极结构包括在所述第二阱的表面之上的漏极连接点。因此，能够提供一种具有高击穿电压的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN203800057U | 申请公布日期 | 2014.08.27 |
| 申请号 | CN201320878759.0 | 申请日期 | 2013.12.26 |
| 申请人 | 美国博通公司 | 发明人 | 伊藤明 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 田喜庆 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一阱，嵌入在半导体衬底中；第二阱，嵌入在所述半导体衬底中；栅极结构，在所述第一阱和所述第二阱之上；以及凸起型漏极结构，在所述第二阱之上并与所述第二阱接触并且与所述栅极结构分开，所述凸起型漏极结构包括在所述第二阱的表面之上的漏极连接点。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||