| 摘要 |
Способ измерения концентрации центров рекомбинации носителей зарядов вблизи поверхности кремниевой пластины, предварительно подготовленной для изготовления электронных схем методами литографии, отличающийся тем, что на лицевую часть пластины совместно с литографией электронных компонентов наносят технологические электроды, на заднюю часть пластины также наносят дополнительный технологический электрод, при этом электроды на лицевой и задней частях образуют рентгеновский детектор, электроды на лицевой части пластины через высокоомный резистор подключаются к высокому напряжению, электрод на задней стороне пластины заземляется, точка соединения электрода на лицевой части пластины и резистора подключается к зарядочувствительному предусилителю, который подключается к амплитудному анализатору, а сам детектор облучается источником рентгеновского излучения, собирается амплитудный спектр импульсов, измеряется отношение зарегистрированных импульсов в хвосте неполного сбора заряда к количеству импульсов в пике полного поглощения, такое же отношение измеряется для эталонных пластин или рассчитывается на основании измеренного и расчетного отношения делается вывод о концентрации центров рекомбинации в приповерхностной области. |
