| 发明名称 | 研磨衬底的方法和使用该方法制造半导体发光器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了研磨衬底的方法和用该研磨衬底的方法制造半导体发光器件的方法。制备包括第一主表面和第二主表面的衬底，其中所述第一主表面上形成有半导体层，所述第二主表面与所述第一主表面彼此相对。使用胶合物将支撑膜贴合至所述第一主表面。所述衬底的第二主表面被研磨，使得所述衬底的厚度减少。通过在非横向方向上将力施加至所述支撑膜来从所述第一主表面去除所述支撑膜。 | ||
| 申请公布号 | CN104008964A | 申请公布日期 | 2014.08.27 |
| 申请号 | CN201410058164.X | 申请日期 | 2014.02.20 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金载润;李承宰;孙夏英;洪镇基;黄圣德 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;张帆 |
| 主权项 | 一种研磨衬底的方法，所述方法包括步骤：制备包括第一主表面和第二主表面的衬底，其中所述第一主表面上具有半导体层，所述第二主表面与所述第一主表面彼此相对；使用胶合物将支撑膜贴合至所述第一主表面；通过将能量施加至所述胶合物来固化所述胶合物；研磨所述衬底的第二主表面，以减小所述衬底的厚度；以及通过在非横向方向上将力施加至所述支撑膜来从所述第一主表面去除所述支撑膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||