一种用于提升器件抗短路能力的沟槽IGBT器件工艺

摘要

本发明提出了一种用于提升器件抗短路能力的沟槽IGBT器件工艺。通过一种新型的dummy沟槽工艺设计，在器件耐压不受影响的前提下，有效降低器件的沟道密度，从而保证器件的短路耐量。并且该设计中不存在传统dummy工艺带来的开关浪涌电压，因此确保了器件工作的安全性。

主权项

一种用于提升器件抗短路能力的沟槽IGBT器件工艺，包含： 一种导电类型的并具有第一浓度的单晶硅体，且具有平行的顶和底表面，垂直延伸至所述顶表面中给定深度的多个间隔的沟槽，衬垫所述沟槽的垂直壁的栅极绝缘层，形成在每个所述沟槽之间并具有比所述沟槽深度更小的深度的其他导电类型的沟道扩散；从所述体的所述顶表面延伸并且沿着每个所述沟槽的上部的两侧对称的一种导电类型的发射极扩散；所述发射极扩散通过所述沟槽的上部之间的给定间距彼此隔离；具有比所述沟道扩散浓度高的浓度并且设置在相邻的所述发射极扩散对之间的所述其他导电类型的扩散；具有比所述沟道扩散浓度高的浓度并且有选择性地在设置在沟槽之间所述沟道扩散位置的其他导电类型的沟道扩散。