发明名称 |
平衡垂直磁隧道结中的状态之间的能垒 |
摘要 |
公开了用于通过在垂直磁隧道结(MTJ)中实施附加铁磁层来增强垂直磁隧道结的性能的技术。例如可以在垂直MTJ的固定铁磁层或自由铁磁层中或者附近实施附加铁磁层。在一些实施例中,借助非磁性间隔体实施附加铁磁层,其中,可以调整附加铁磁层和/或间隔体的厚度,以充分平衡垂直MTJ的平行状态和反平行状态之间的能垒。在一些实施例中,配置附加铁磁层以使得其磁化与固定铁磁层的磁化相反。 |
申请公布号 |
CN104011862A |
申请公布日期 |
2014.08.27 |
申请号 |
CN201180076063.X |
申请日期 |
2011.12.30 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
C·C·郭;B·S·多伊尔;A·雷什欧迪伊;R·戈利扎德莫亚拉德;K·奥乌兹 |
分类号 |
H01L27/105(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/105(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
陈松涛;韩宏 |
主权项 |
一种磁隧道结器件,包括:第一绝缘体层,所述第一绝缘体层夹置在自由铁磁层与固定铁磁层之间;以及第二绝缘体层,所述第二绝缘体层夹置在第三铁磁层与所述自由铁磁层或固定铁磁层的其中之一之间。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |