一种台面铟镓砷探测器及其制作方法

摘要

本发明适用于芯片制造技术领域，提供一种台面铟镓砷探测器及其制作方法。所述探测器包括InP衬底、第一梯台和第二梯台，所述第一梯台为n型InGaAs接触层，所述第二梯台底部为I型InGaAs光吸收层，顶部为p型InGaAs接触层，探测器表面还生长有氮化硅介质层，所述第一梯台上表面n型InGaAs接触金属层，所述第二梯台上表面设有p型InGaAs接触金属层，所述第一梯台和第二梯台侧面上的介质层起到钝化作用，有利于降低探测器漏电流，所述p型InGaAs接触层顶面的介质层起到增透作用，保证了透射光强度。本发明探测器结构简单，工艺简洁，可靠性能高，有利于批量生产。

主权项

一种台面铟镓砷探测器，其特征在于，所述探测器包括半绝缘InP衬底，所述InP衬底上依次生长有通过蚀刻形成的第一梯台和第二梯台，所述第一梯台为n型InGaAs接触层，所述第二梯台底部为I型InGaAs光吸收层，顶部为p型InGaAs接触层，所述InP衬底、第一梯台、第二梯台的上表面以及第一梯台、第二梯台侧面均生长有氮化硅介质层，所述第一梯台上表面设有穿过所述介质层的n型InGaAs接触金属层，在所述第二梯台上表面设有穿过所述介质层的p型InGaAs接触金属层，所述n型InGaAs接触金属层上设有n区接触环，所述p型InGaAs接触金属层上设有p区接触环，所述InP衬底上还设有与所述n区接触环连接的n区焊盘、与所述p区接触环连接的p区焊盘。