发明名称 |
一种体硅谐振式压力传感器的圆片级真空封装方法 |
摘要 |
本发明涉及一种应用于体硅谐振式压力传感器的圆片级封装方法,其步骤包括:1)根据谐振式压力传感器的结构选取合适的SOI硅片和进行阳极键合的玻璃片;2)对SOI硅片的器件层进行台阶刻蚀,形成器件结构;3)去除部分埋氧层,释放器件结构;4)将SOI片和玻璃片进行真空阳极键合;5)对硅片进行减薄;6)通过光刻定义引线窗口,然后刻蚀硅,露出埋氧层;7)去除引线窗口内的埋氧层;8)在硅片表面淀积二氧化硅,形成电学隔离;9)对淀积的二氧化硅进行刻蚀,形成pad孔;10)淀积金属pad。本发明采用圆片级封装,工艺流程简单,能够大大降低体硅谐振式压力传感器的真空封装成本。 |
申请公布号 |
CN104003350A |
申请公布日期 |
2014.08.27 |
申请号 |
CN201410205595.4 |
申请日期 |
2014.05.15 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
何军;张大成;黄贤;张立;赵丹淇;王玮;杨芳;田大宇;刘鹏;李婷;罗葵 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;G01L1/10(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 |
代理人 |
余长江 |
主权项 |
一种体硅谐振式压力传感器的圆片级真空封装方法,其步骤包括:1)根据体硅谐振式压力传感器的结构选取SOI硅片和用于进行阳极键合的玻璃片;2)对SOI硅片的器件层进行台阶刻蚀,形成器件结构;3)去除SOI硅片的部分埋氧层,释放器件结构;4)将SOI硅片和玻璃片进行真空阳极键合;5)对硅片进行减薄,剩余厚度与器件设计尺寸相吻合;6)通过光刻定义引线窗口,然后刻蚀硅,露出埋氧层;7)去除引线窗口内的埋氧层;8)在硅片表面淀积二氧化硅,形成电学隔离;9)对淀积的二氧化硅进行刻蚀,形成pad孔;10)淀积金属pad。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 |