发明名称 一种超微阵列电极的制备方法
摘要 本发明提供了一种超微阵列电极的制备方法,包括以下步骤:将电极材料插进玻璃毛细管中,得到第一玻璃毛细管;将多根所述第一玻璃毛细管,插进玻璃管中,所述第一玻璃毛细管与所述玻璃管之间的空隙采用玻璃制品填充,得到第一玻璃管;将所述第一玻璃管灌装导电介质,连接导线,将连接导线后的第一玻璃管密封,得到超微阵列电极。在上述制备超微阵列电极的过程中,由于只采用了两种材料:玻璃和电极材料,且上述两种材料的热膨胀系数相近,因此不易造成玻璃和电极材料的脱离,避免了电极材料、玻璃毛细管和玻璃管之间产生缝隙,从而在测试过程中不会造成测试溶液进入缝隙,使电极具有较高的稳定性。
申请公布号 CN102890108B 申请公布日期 2014.08.27
申请号 CN201210384966.0 申请日期 2012.10.11
申请人 中国科学院长春应用化学研究所 发明人 董绍俊;余登斌
分类号 G01N27/30(2006.01)I 主分类号 G01N27/30(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 赵青朵;李玉秋
主权项 一种超微阵列电极的制备方法,包括以下步骤:将电极材料插进玻璃毛细管中,再将上述插进电极材料的玻璃毛细管的一端封端,得到第一玻璃毛细管;将多根所述第一玻璃毛细管,插进玻璃管中,所述第一玻璃毛细管与所述玻璃管之间的空隙采用玻璃制品填充,得到第一玻璃管;将所述第一玻璃管灌装导电介质,连接导线,将连接导线后的第一玻璃管密封,得到超微阵列电极。
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