Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Fertigung

摘要

Bei einem Verfahren zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung wird ein Halbleiterchip (10) mit einem Harz (20) versiegelt und anschließend ein Laser (L) angewandt, um das Harz derart zu entfernen, dass ein Teil (2) des Halbleiterchips freigelegt wird. Als der Halbleiterchip wird ein Halbleiterchip vorbereitet, der aus einem Material aufgebaut ist, das eine geringere Absorptionsfähigkeit des Lasers als das Harz aufweist und nicht durch den Laser geschmolzen wird. Der Laser weist eine Wellenlänge auf, die den Halbleiterchip durchläuft und eine geringere Absorptionsfähigkeit im Halbleiterchip als im Harz aufweist. Der Laser wird von einer Seite benachbart zu einer (11) von Plattenoberflächen des Halbleiterchips auf das Harz angewandt, so dass das Harz, das die eine der Plattenoberflächen versiegelt, sublimiert und entfernt wird. Anschließend wird der Laser angewandt, um den Halbleiterchip zu der anderen (12) der Plattenoberflächen zu durchlaufen, so dass wenigstens ein Teil des Harzes, das die andere der Plattenoberflächen versiegelt, durch den Laser, der den Halbleiterchip durchlaufen hat, sublimiert und entfernt wird.