| 发明名称 |
化合物半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
一化合物半导体装置系设有一化合物半导体层，以及经由一闸极绝缘膜形成于该化合物半导体层上之一闸极电极，其中，闸极绝缘膜系其中SixNy被包括作为一绝缘材料者，SixNy系0.638≦x/y≦0.863，且以氢终结之基团之浓度系设定为在不少于2×1022/cm3亦不多于5×1022/cm3之范围内之一值。 |
| 申请公布号 |
TWI450342 |
申请公布日期 |
2014.08.21 |
| 申请号 |
TW100138486 |
申请日期 |
2011.10.24 |
| 申请人 |
富士通股份有限公司 日本 |
发明人 |
牧山刚三;吉川俊英 |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/778 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
| 主权项 |
一种化合物半导体装置，包含：一化合物半导体层；以及一闸极电极，其系经由一闸极绝缘膜形成于该化合物半导体层上，其中，该闸极绝缘膜系其中SixNy系被包括作为一绝缘材料者，该SixNy系0.638≦x/y≦0.863，且一以氢终结之基团的浓度系设定为在不少于2×1022/cm3亦不多于5×1022/cm3之范围内之一值。 |
| 地址 |
日本 |
