具有一环绕磊晶生长Ｐ或Ｎ层之奈米线结构光电二极体

摘要

一实施例系关于包括一基板、一奈米线及环绕该奈米线之一经掺杂磊晶层之一装置，其中该奈米线系组态为用以传输高达一选择性波长之波长之一通道及用以侦测传输穿过该奈米线之高达该选择性波长之该等波长之一主动元件两者。另一实施例系关于包括一基板、一奈米线及环绕该奈米线之一个或多个光闸极之一装置，其中该奈米线系组态为用以传输高达一选择性波长之波长之一通道及用以侦测传输穿过该奈米线之高达该选择性波长之该等波长之一主动元件两者，且其中该一个或多个光闸极包括一磊晶层。

主权项

一种光电二极体装置，其包括一基板、一奈米线、环绕该奈米线之一经掺杂层以及置于该基板上之一反射层，其中该奈米线系经组态作为用以传输具有波长至多达一选择性波长之光之一通道以及用以侦测经传输穿过该奈米线之具有波长至多达该选择性波长之光之一主动元件；其中该反射层系经组态以反射由该奈米线传输之光。