光罩图案之形成方法及半导体装置之制造方法

摘要

本发明旨在提供一种光罩图案之形成方法，藉由SWP形成光罩图案时，可省略抗反射膜之蚀刻工序，防止光罩图案图案崩塌。;其中包含：步骤S14，以矽氧化物膜依等向性方式被覆光阻图案列表面；步骤S15，以碳膜嵌入光阻图案列之间，并以碳膜被覆上部；步骤S16，进行回蚀处理，俾自光阻图案列上部去除碳膜，并使该碳膜残存于光阻图案列之间；步骤S17，去除残存之碳膜，并对被覆光阻图案列上部之矽氧化物膜进行回蚀处理；及步骤S18，对光阻图案列进行灰化处理，形成包含部与自两侧夹住部之膜侧壁部，由矽氧化物膜所构成之第1光罩图案列。

主权项

一种光罩图案之形成方法，包含：第1步骤，将矽氧化物膜以等向性方式被覆在形成于抗反射膜上且经细窄化处理而具有既定线宽之光阻图案列表面，直到相邻之光阻图案列之间隔为既定尺寸；第2步骤，以碳膜嵌入由该矽氧化物膜被覆之该光阻图案列相邻列之间，并以该碳膜被覆由该矽氧化物膜所被覆之该光阻图案列上部；第3步骤，从由该矽氧化物膜所被覆之该光阻图案列上部去除该碳膜，并对该碳膜进行回蚀处理，俾令该碳膜残存于由该矽氧化物膜所被覆之该光阻图案列相邻列之间；第4步骤，去除残存之该碳膜，并进行回蚀处理，俾被覆于该光阻图案列上部之该矽氧化物膜成为既定之膜厚尺寸；及第1光罩图案列形成步骤，对已去除该矽氧化物膜之该光阻图案列进行灰化处理，在该抗反射膜上形成矽氧化物膜所构成之第1光罩图案列；该第1光罩图案列包含：中央部，以大致与经修整之该光阻图案列之该既定线宽相等之间隔宽排列，且具有既定之宽度尺寸；及膜侧壁部，自两侧夹住该中央部，具有该既定之膜厚尺寸。