非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体，设置于基底上，此非挥发记忆体具有隔离结构、浮置闸极、闸介电层。隔离结构设置于基底中，以定义出主动区。浮置闸极设置于基底上，并横跨主动区。闸介电层设置于浮置闸极与基底之间。浮置闸极区分为第一区域与第二区域，第二区域的能带能阶低于第一区域的能带能阶，使得储存在浮置闸极中的电荷远离浮置闸极与闸介电层重叠的区域。

主权项

一种非挥发性记忆体，设置于一基底上，包括：一隔离结构，设置于该基底中，以定义出一主动区；一闸介电层，设置于该基底的该主动区上；以及一浮置闸极，设置于该闸介电层与该隔离结构上，并横跨该主动区，其中该浮置闸极区包括一第一区域与一第二区域，该第一区域至少设置在该主动区与该隔离结构的界面上，该第二区域远离该主动区与该隔离结构的界面，藉由掺杂制程使该第一区域与该第二区域的能带能阶不同，并将大部分的电荷储存在该浮置闸极的该第二区域，其中该第二区域的导电型态与该第一区域的导电型态相反。