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<p>In einer Ausführungsform kann eine Super-Junction-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor-(MOSFET)-Vorrichtung ein Substrat und einen Ladungskompensationsbereich enthalten, der sich über dem Substrat befindet. Der Ladungskompensationsbereich kann eine Vielzahl von Säulen eines P-artigen Dotierstoffs in einem Bereich eines N-artigen Dotierstoffs enthalten. Der Super-Junction-MOSFET kann darüber hinaus einen Abschlussbereich enthalten, der sich über dem Ladungskompensationsbereich befindet, und der Abschlussbereich kann einen N-artigen Dotierstoff enthalten. Der Super-Junction-MOSFET kann darüber hinaus eine Randabschlussstruktur enthalten. Der Abschlussbereich enthält einen Abschnitt der Randabschlussstruktur.</p> |
