发明名称 Ferroelektrische Speicherzelle, Herstellungsverfahren und integrierte Schaltung mit der ferroelektrischen Speicherzelle
摘要 Verfahren zur Herstellung einer ferroelektrischen Speicherzelle (201, 401), wobei die ferroelektrische Speicherzelle eine Speicherschicht enthält und die Speicherschicht hergestellt wird durch: Ausbilden einer amorphen Schicht über einem Träger (203, 403), wobei die amorphe Schicht HfSiO oder ein Mischoxid, das Hafniumoxid und Zirkoniumoxid aufweist, enthält; Ausbilden einer Abdeckungsschicht (208, 408) auf der amorphen Schicht; und Erhitzen der amorphen Schicht auf eine Temperatur oberhalb ihrer Kristallisationstemperatur, um ihren Kristallzustand wenigstens teilweise von amorph nach kristallin zu ändern, was zu einer kristallisierten Schicht (207, 407) führt, die die Speicherschicht bildet.
申请公布号 DE102008024519(B4) 申请公布日期 2014.08.21
申请号 DE20081024519 申请日期 2008.05.21
申请人 NAMLAB GGMBH 发明人 BÖSCKE, TIM
分类号 H01L21/8239;G11C11/22;H01L21/316;H01L21/8247;H01L27/105;H01L27/115 主分类号 H01L21/8239
代理机构 代理人
主权项
地址