摘要 |
Verfahren zur Herstellung einer ferroelektrischen Speicherzelle (201, 401), wobei die ferroelektrische Speicherzelle eine Speicherschicht enthält und die Speicherschicht hergestellt wird durch: Ausbilden einer amorphen Schicht über einem Träger (203, 403), wobei die amorphe Schicht HfSiO oder ein Mischoxid, das Hafniumoxid und Zirkoniumoxid aufweist, enthält; Ausbilden einer Abdeckungsschicht (208, 408) auf der amorphen Schicht; und Erhitzen der amorphen Schicht auf eine Temperatur oberhalb ihrer Kristallisationstemperatur, um ihren Kristallzustand wenigstens teilweise von amorph nach kristallin zu ändern, was zu einer kristallisierten Schicht (207, 407) führt, die die Speicherschicht bildet. |