磁阻效应元件的制造方法

摘要

本发明提供磁阻效应元件的制造方法，其中可放大所形成的膜之该阶梯覆盖范围，并且可在低温范围中沉积该膜。在本发明的实施例中，藉由电浆CVD(化学汽相沉积)设备，将绝缘保护层形成在多层结构上，在该电浆CVD设备中，由隔墙板将电浆源和膜沉积室彼此分开。根据本方法，能够沉积该保护层却不会引起磁特性降低，并且甚至在低于150℃的温度中亦能够执行低温膜沉积。因此，能够在遗留抗蚀剂的同时沉积该保护层，并且能够减少制造具有多层结构之该磁阻效应元件时的步骤数目。

主权项

一种磁阻效应元件的制造方法，该磁阻效应元件包含：包括两铁磁层和夹置在该等铁磁层之间的中间层之多层结构，其中具有至少一通孔之隔墙系设置在电浆产生空间和膜沉积处理空间之间，该电浆产生空间能够产生电浆，而该膜沉积处理空间系与该电浆产生空间分开设置及将能够安装欲待处理的基板之基板支托部配置在其中，并且该电浆产生空间和该膜沉积处理空间系藉由该至少一通孔彼此连接，及该方法包含：经由该至少一通孔，将产生自该电浆产生空间中的第一来源气体之活性物种引进该膜沉积处理空间；及使该反应物种能够与该膜沉积处理空间中之第二来源气体产生反应，以在安装于该基板支托部上之欲待处理的该基板中所形成之多层结构上形成绝缘保护层。