Halbleitervorrichtung mit einer Superübergangsstruktur, die eine vertikale Fremdstoffverteilung hat

摘要

Eine Superübergang-Halbleitervorrichtung (500) umfasst einen Halbleiterteil (100) mit parallelen ersten und zweiten Oberflächen (101, 102). Eine Fremdstoffschicht (130) eines ersten Leitfähigkeitstyps ist in dem Halbleiterteil (100) gebildet. Zwischen der ersten Oberfläche (101) und der Fremdstoffschicht (130) umfasst eine Superübergangsstruktur erste Säulen (121) des ersten Leitfähigkeitstyps und zweite Säulen (122) eines zweiten Leitfähigkeitstyps. Ein Vorzeichen einer Kompensationsrate zwischen den ersten und zweiten Säulen (121, 122) kann sich längs einer vertikalen Erstreckung der Säulen (121, 122) senkrecht zu der ersten Oberfläche (101) ändern. Eine Bodyzone (115) des zweiten Leitfähigkeitstyps ist zwischen der ersten Oberfläche (101) und einer der zweiten Säulen (122) gebildet. Eine Feldausdehnungszone (123) des zweiten Leitfähigkeitstyps kann elektrisch mit der Bodyzone (115) verbunden sein, oder eine Feldausdehnungszone des ersten Leitfähigkeitstyps (123) kann mit der Fremdstoffschicht (130) verbunden sein. Die Feldausdehnungszone (123) verbessert die Avalanche-Eigenschaften der Halbleitervorrichtung (500).