Verfahren zum Herstellen eines strukturierten verformten Substrats, insbesondere zur Herstellung verformter Transistoren mit geringerer Dicke der aktiven Schicht

摘要

Verfahren mit: Bereitstellen einer siliziumenthaltenden Halbleiterschicht über einem Substrat, wobei die siliziumenthaltende Halbleiterschicht eine innere biaxiale Verformung aufweist; Bilden von Isolationsgräben in der siliziumenthaltenden Halbleiterschicht; Verringern einer Dicke der siliziumenthaltenden Halbleiterschicht; Füllen der Isolationsgräben mit einem Opfermaterial vor dem Verringern der Dicke der siliziumenthaltenden Halbleiterschicht; und Füllen der Isolationsgräben mit einem isolierenden Material nachdem das Opfermaterial aus den Isolationsgräben entfernt wurde.