Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (100) mit den Schritten:–Bereitstellen eines Substrats (1),–Erzeugen eines Mehrschichtaufbaus mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) und einer Barriereschicht (3) auf dem Substrat (1),–wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist,–wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) eine dem Substrat (1) abgewandte Strahlungshauptseite (12) aufweist,–wobei die zumindest eine Barriereschicht (3) auf der Strahlungshauptseite (12) der Halbleiterschichtenfolge (2) oder auf zumindest einer Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge (2) oder innerhalb oder unterhalb der Halbleiterschichtenfolge (2) oder Kombinationen daraus aus einer Beschichtungsflüssigkeit erzeugt wird, welche Polysilazan oder deren Derivate und/oder eine Perhydropolysilazan oder deren Derivate umfasst.