发明名称 |
发光二极体的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种发光二极体的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底;在所述基底一表面设置一奈米碳管层;在设置有奈米碳管层的基底表面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层;在所述第二半导体层表面依次设置一反光层及第一电极;去除所述基底,暴露出所述奈米碳管层形成一出光面;在所述第一半导体层表面设置一第二电极。 |
申请公布号 |
TWI450416 |
申请公布日期 |
2014.08.21 |
申请号 |
TW100116280 |
申请日期 |
2011.05.10 |
申请人 |
鸿海精密工业股份有限公司 新北市土城区自由街2号 |
发明人 |
魏洋;范守善 |
分类号 |
H01L33/02;H01L33/36;H01L33/44 |
主分类号 |
H01L33/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种发光二极体的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底;在所述基底一表面设置一奈米碳管层;在设置有奈米碳管层的基底表面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层;在所述第二半导体层表面依次设置一反光层及第一电极;去除所述基底及奈米碳管层,形成所述发光二极体的出光面;在所述第一半导体层表面设置一第二电极。 |
地址 |
新北市土城区自由街2号 |