发明名称 发光二极体的制备方法
摘要 本发明涉及一种发光二极体的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底;在所述基底一表面设置一奈米碳管层;在设置有奈米碳管层的基底表面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层;在所述第二半导体层表面依次设置一反光层及第一电极;去除所述基底,暴露出所述奈米碳管层形成一出光面;在所述第一半导体层表面设置一第二电极。
申请公布号 TWI450416 申请公布日期 2014.08.21
申请号 TW100116280 申请日期 2011.05.10
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 新北市土城区自由街2号 发明人 魏洋;范守善
分类号 H01L33/02;H01L33/36;H01L33/44 主分类号 H01L33/02
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极体的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底;在所述基底一表面设置一奈米碳管层;在设置有奈米碳管层的基底表面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层;在所述第二半导体层表面依次设置一反光层及第一电极;去除所述基底及奈米碳管层,形成所述发光二极体的出光面;在所述第一半导体层表面设置一第二电极。
地址 新北市土城区自由街2号
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