半导体基板之制造方法

摘要

[课题]提供一种：可在低温下进行贴合，且能够将SOI膜中之金属污染量降低之手法。;[解决手段]将进行电浆处理而使表面活性化后的单结晶Si基板10与石英基板20以低温来作贴合，并对此赋予外部冲击而从单结晶矽之主体(bulk)来将矽膜机械性的剥离，而得到具备有矽膜(SOI膜)12之半导体基板(SOI基板)。接下来，对此SOI基板以600℃～1250℃之温度来进行热处理，并将在电浆处理等之工程中而偶发性地混入至SOI膜/石英基板界面以及SOI膜中之金属不纯物。在矽膜12之表面区域处作去疵(Gettering)。而，最后，系将热处理后之SOI基板的矽膜12之表面层(去疵层)除去，并作为最终之SOI膜13，而得到半导体基板(SOI基板)。

主权项

一种半导体基板之制造方法，其特征为，具备有：在矽基板之主面上形成氢离子注入层之离子注入工程；和在身为高电阻矽基板、附有氧化膜之矽基板、石英基板、蓝宝石基板之其中一者的绝缘性基板与前述矽基板之至少一方的主面上施加电浆处理之表面处理工程；和将前述绝缘性基板与前述矽基板之主面彼此作贴合之工程；和从前述贴合基板之前述矽基板而将矽薄膜机械性地剥离，而作成在前述绝缘性基板之主面上具备有矽膜之SOI基板之剥离工程；和将前述SOI基板以600℃~900℃之温度来进行热处理而对前述矽膜之表面区域进行将金属杂质去疵之工程；和将前述热处理后之SOI基板的矽膜之表面层除去之工程。