| 发明名称 |
用以移除蚀刻后残余物之液体清洗剂 |
| 摘要 |
本发明提供用于自一其上具有电浆蚀刻后残余物之微电子设备清洗该残余物的清洗组合物及过程。该组合物达成对残余物材料(包括来自微电子设备之含钛、含铜、含钨及/或含钴蚀刻后残余物)的非常有效之清洗，而同时不会损害亦存在于微电子设备上之层间介电质、金属互连材料及/或覆盖层。另外，该组合物可用于自一其上具有氮化钛层之微电子设备移除该等氮化钛层。 |
| 申请公布号 |
TWI449784 |
申请公布日期 |
2014.08.21 |
| 申请号 |
TW096149626 |
申请日期 |
2007.12.21 |
| 申请人 |
先进科技材料公司 美国 |
发明人 |
潘蜜拉Ｍ 维辛汀;蒋平;麦可Ｂ 柯珊斯基;大卫Ｗ 民斯克;艾曼纽Ｉ 库柏;许铭案;克里斯丁Ａ 佛列契 |
| 分类号 |
C11D11/00;C11D7/00 |
主分类号 |
C11D11/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
| 主权项 |
一种水性清洗组合物，其包含至少一蚀刻剂、水、至少一金属腐蚀抑制剂、视情况至少一低k钝化剂、视情况至少一有机溶剂、视情况至少一金属螯合剂、视情况至少一界面活性剂及视情况一二氧化矽源，其中该清洗组合物之pH值系在0至4.5的范围内，其中该水性清洗组合物适用于自一其上具有电浆蚀刻后残余物之微电子设备清洗该残余物。 |
| 地址 |
美国 |
