层间绝缘膜及配线构造与此等之制造方法

摘要

一种低介电常数且不产生CFx、SiF4等气体之安定之半导体装置的层间絶缘膜及具有该等层间絶缘膜之配线构造。于具有形成在底层上之絶缘膜的层间絶缘膜，前述层间絶缘膜的有效介电常数为3以下。配线构造具有：层间絶缘膜；形成于层间絶缘膜之接触孔；以及充填于前述接触孔内之金属；并且前述絶缘膜具有：形成于前述底层上之表面氮化之氟化碳膜。

主权项

一种电子装置，具有多层配线构造，其特征在于至少具有：氟化碳膜，形成在底层上，且表面被氮化。