半导体装置

摘要

本发明提供一种可提升面积利用效率并维持电晶体T之特性、再者谋求整流元件D之低顺向电压化之半导体装置。;半导体装置1，具备整流元件D与电晶体T。整流元件D，具有：电流路径43；第1主电极11，系配置于其之一端且具有整流作用；第2主电极12，系配置于其之另一端；以及第1辅助电极15，系配置于其之第1主电极11与第2主电极12之间，相较于第1主电极11顺向电压较大。电晶体T，具有：电流路径43；第3主电极13，于其之一端配置在与电流路径43交叉之方向；控制电极14，系以包围第3主电极13之方式配置；以及第2主电极12。

主权项

一种半导体装置，具备整流元件与电晶体；该整流元件，具有：电流路径；第1主电极，系配置于该电流路径之一端且具有整流作用；第2主电极，系配置于该电流路径之另一端；以及第1辅助电极，系配置于该电流路径之该第1主电极与该第2主电极之间，相较于该第1主电极顺向电压较大；该电晶体，具有：该电流路径；第3主电极，于该电流路径之该一端在与该电流路径交叉之方向与该第1主电极分离配置；控制电极，系以包围该第3主电极之周围之方式配置；以及该第2主电极。