发明名称 |
晶粒结构、其制造方法及其基板结构 |
摘要 |
一种晶粒结构、其制造方法及其基板结构,其中基板结构是由复数个导热导电柱及复数个绝缘材料层相互堆叠并切割后形成。当其应用在晶粒结构的制作上,则是将承载于载板上之复数个磊晶片(chip on wafer)接合于基板结构,使复数个磊晶片(chip on wafer)与基板结构上的复数个导热导电柱相互接触,接着移除载板。然后,将一萤光板(phosphor plate)贴合于复数个磊晶片(chip on wafer)上,使形成堆叠结构。之后再切割堆叠结构,即形成复数个具有至少一磊晶片(chip on wafer)的晶粒结构。 |
申请公布号 |
TWI450425 |
申请公布日期 |
2014.08.21 |
申请号 |
TW099147379 |
申请日期 |
2010.12.31 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |
发明人 |
黄萌祺;杨涵评;周敏杰;高端环;彭骏光;林正轩;林建宪 |
分类号 |
H01L33/64;H01L33/62 |
主分类号 |
H01L33/64 |
代理机构 |
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代理人 |
许世正 台北市信义区忠孝东路5段410号4楼 |
主权项 |
一种晶粒结构的制造方法,包括以下步骤:提供一设置有复数个磊晶片之载板;提供一基板结构,具有复数个导热导电柱,并且该复数个导热导电柱贯穿该基板结构的相对二侧面;将该复数个磊晶片接合于该基板结构之一侧面,令该复数个导热导电柱接触于该复数个磊晶片;移除该载板;贴合一萤光板于该复数个磊晶片上,使形成一堆叠结构;以及切割该堆叠结构,以形成复数个晶粒结构。 |
地址 |
新竹县竹东镇中兴路4段195号 |