| 发明名称 |
ＳＯＩ（矽在绝缘体上）基板，彼之制法，以及半导体装置 |
| 摘要 |
本发明提供一种SOI基板，该SOI基板具有的SOI层于使用如玻璃基板等温度上限低的基板的时候也可以实用。另外，本发明还提供使用这种SOI基板的半导体装置。当对具有绝缘表面的基板或绝缘基板接合单晶半导体层时，于形成接合的一面或双面使用以有机矽烷为原材料所成氧化矽膜。根据本发明，可以使用温度上限为700℃以下的基板，例如，玻璃基板，来获得坚固地接合的SOI层。亦即，可以在各边超过一米的大面积基板上形成单晶牛导体层。 |
| 申请公布号 |
TWI450360 |
申请公布日期 |
2014.08.21 |
| 申请号 |
TW097109890 |
申请日期 |
2008.03.20 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 日本 |
发明人 |
大沼英人;挂端哲弥;饭洼阳一 |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/20;H01L21/00 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
| 主权项 |
一种SOI(矽在绝缘体上)基板的制造方法，包括如下步骤：将H+离子以及H3+离子植入到单晶半导体基板，以在离该单晶半导体基板表面预定深度的区域中形成脆化层；以及沿着该脆化层分离该单晶半导体基板，使该单晶半导体基板的一部分成为在支撑基板上的单晶半导体层，其中，该植入步骤中该H3+离子的比率比该H+离子的比率高。 |
| 地址 |
日本 |
