| 摘要 |
Verfahren mit den folgenden Schritten: Bilden eines silizium-, kohlenstoff- und sauerstoffenthaltenden dielektrischen Materials über einem Substrat eines Mikrostrukturbauelements; Einrichten einer ersten Plasmaatmosphäre in einer Prozessumgebung, die zum Einschluss eines Plasmas ausgebildet ist; Veranlassen einer Einwirkung einer ersten Art von Radikalen, die in der ersten Plasmaatmosphäre erzeugt werden, auf einen Oberflächenbereich des silizium-, kohlenstoff und sauerstoffenthaltenden dielektrischen Materials; Einrichten einer zweiten Plasmaatmosphäre auf der Grundlage von Wasserstoff und Kohlenstoff, wobei die zweite Plasmaatmosphäre in situ innerhalb derselben Prozessumgebung eingerichtet wird, in der die erste Plasmaatmosphäre eingerichtet wurde; und Veranlassen der Einwirkung einer zweiten Art von Radikalen, die in der zweiten Plasmaatmosphäre erzeugt werden, auf den Oberflächenbereich des silizium-, kohlenstoff- und sauerstoffenthaltenden dielektrischen Materials, wobei die zweite Art an Radikalen zu einer Ausbildung von Methyl-Gruppen in der Oberflächenstruktur des Oberflächenbereichs führt, wobei das Substrat des Mikrostrukturbauelements zwischen dem Einwirken der ersten Art von Radikalen und dem Einwirken der zweiten Art von Radikalen keinem Transportschritt unterworfen wird, gekennzeichnet durch Initiieren einer Dimerisation oder einer Polymerisation durch Zuführen eines oder mehrerer chemischer Mittel zu dem Oberflächenbereich, um die chemische Stabilität des Oberflächenbereichs zu erhöhen, wobei das eine oder die mehreren chemischen Mittel Silan- und/oder Trimethylsilan und/oder Tetramethylsilan und/oder Tetramethyldisilazan in Kombination mit einer oder mehreren funktionalen Gruppen sind, wobei die eine oder die mehreren funktionalen Gruppen eine Vinylgruppe umfassen. |
