| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明揭露一种半导体装置，包含：一半导体晶片，具有一第一表面；一导电电极，曝露于该第一表面；一保护层，覆盖该半导体晶片，该保护层具有贯穿的一保护层开口于该导电电极上；一重布线路层于该保护层上，该重布线路层经由该保护层开口电性连接该导电电极，该重布线路层具有一铝层；一镍/金层于该重布线路层的该铝层的上表面；以及一防焊层于该保护层与该重布线路层上，曝露出该重布线路层的一端点及其上方的该镍/金层。 |
| 申请公布号 |
TWI450371 |
申请公布日期 |
2014.08.21 |
| 申请号 |
TW097118087 |
申请日期 |
2008.05.16 |
| 申请人 |
精材科技股份有限公司 桃园县中坜市中坜工业区吉林路25号4楼 |
发明人 |
蔡佳伦;倪庆羽;陈志杰;钱文正 |
| 分类号 |
H01L23/485;H01L23/535;H01L21/56 |
主分类号 |
H01L23/485 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包含：一半导体晶片，具有一第一表面；一导电电极，曝露于该第一表面；一保护层，覆盖该半导体晶片，该保护层具有贯穿的一保护层开口于该导电电极上；一重布线路层于该保护层上，该重布线路层经由该保护层开口电性连接该导电电极，该重布线路层具有一铝层；一镍/金层于该重布线路层的该铝层的上表面；以及一防焊层于该保护层与该重布线路层上，曝露出该重布线路层的一端点及其上方的该镍/金层。 |
| 地址 |
桃园县中坜市中坜工业区吉林路25号4楼 |
