具有奈米尺度高低不平的表面之磊晶基材及其制造方法

摘要

本发明提供一种磊晶基材及其制造方法。根据本发明之磊晶基材包含一晶体基材。特别地，该晶体基材具有一磊晶表面，并且该磊晶表面为奈米尺度高低不平且非图案化的表面。根据本发明之磊晶基材有助于化合物半导体材料在其上成长品质良好的磊晶层。并且，根据本发明之制造方法具有制造成本低、生产快速的优点。

主权项

一种制造一磊晶基材之方法，该方法包含下列步骤：制备一晶体基材，该晶体基材具有一磊晶表面；于该晶体基材之该磊晶表面上，沉积一多晶材料层，该多晶材料层具有复数个不规则晶界；藉由一第一湿式蚀刻制程，蚀刻该多晶材料层之晶界；以该经蚀刻的多晶材料层做为一遮罩，该遮罩具有复数个非图案化之奈米级晶界内区域，藉由一电浆蚀刻制程，蚀刻该经蚀刻的多晶材料层之晶界内区域；以及藉由一第二湿式蚀刻制程，去除该经蚀刻的多晶材料层，其中该晶体基材之该磊晶表面为奈米尺度高低不平且非图案化的表面。