发明名称 |
高速研磨方法 |
摘要 |
本发明提供一种于研磨媒介存在下以研磨垫研磨磁性、光学、和半导体基板至少其中之一之方法。该基板系固定在具有无通道表面之载体夹具内。该方法包括固定该基板于具有无通道表面之载体夹具中,该无通道表面系邻接并且平行于该研磨垫之研磨表面。该研磨垫具有具高速率路径之多个沟槽。该方法包含施加研磨媒介至邻接于该载体夹具之该研磨垫;以及旋转该研磨垫和载体夹具而以该研磨垫和研磨媒介研磨该基板,其中该载体夹具之无通道表面压靠该研磨垫以阻止研磨媒介流入基板中并且该高速率沟槽路径横越载体夹具以促进研磨媒介流至该基板。 |
申请公布号 |
TWI449598 |
申请公布日期 |
2014.08.21 |
申请号 |
TW098143062 |
申请日期 |
2009.12.16 |
申请人 |
罗门哈斯电子材料CMP控股公司 美国 |
发明人 |
莫唐尼 葛列格里P |
分类号 |
B24B37/26 |
主分类号 |
B24B37/26 |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
主权项 |
一种于研磨媒介存在下以研磨垫研磨磁性、光学、和半导体基板至少其中之一的方法,该基板系固定在具有无通道表面之载体夹具内,该方法包括:a)固定该基板于该具有无通道表面之载体夹具中,该无通道表面系邻接并且平行于该研磨垫之研磨表面,该研磨垫具有具高速率路径之多个沟槽,至少50%之该高速率路径是在极座标之沟槽轨迹(γ)之20%以内,该极座标系相对于该研磨垫之同心圆的中心并且依据:(1)该研磨垫之同心圆的中心与待研磨之该基板之该旋转中心间之距离R,(2)该载体夹具之半径Rc,以及(3)于该载体夹具中假想的沟槽之局部角θc0,而如下定义:其中γ值为从(R-Rc)至(R+Rc)b)施加研磨媒介至邻接该载体夹具之该研磨垫;以及c)旋转该研磨垫和载体夹具而以该研磨垫和该研磨媒介研磨该基板,其中该载体夹具之无通道表面压靠该研磨垫以阻止该研磨媒介流入该基板中并且该高速率沟槽路径横越该载体夹具以促进该研磨媒介流至该基板。 |
地址 |
美国 |