半导体结构、包括半导体结构之积体电路及用以制造半导体结构之方法

摘要

一种单片半导体结构包括一叠层体。该堆层包括一基板、由一第一半导体材料构成之一第一层及由一第二半导体材料构成之一第二层。该第一层位于该基板与该第二层之间且该第一半导体材料及该第二半导体材料之至少一个包含一III族氮化物材料。该结构包括一功率电晶体，其包括形成于该叠层体中之一主体、在该第一层之正对该第二层之那一面之一第一功率端、至少部分形成于该基板中之一第二功率端及用以控制电信号穿过该主体在该第一功率端与该第二功率端之间的传送之一闸结构。该结构还包括一肖特基二极体，其包括一阳极、包括该基板之一阴极及在该阴极与该阳极之间的一肖特基障壁，该肖特基障壁位于该叠层体中之该基板与一阳极层之间。

主权项

一种单片半导体结构，其包括：一叠层体，其包括：一基板；一第一层，其由一第一半导体材料构成；一第二层，其由一第二半导体材料构成，该第一层位于该基板与该第二层之间，且该第一半导体材料及该第二半导体材料之至少一个包含一III族氮化物材料；该结构包括一功率电晶体，其包括：一主体，其形成于该叠层体中；一第一功率端子，其位于该第一层之面对该第二层之那一面；一第二功率端子，其至少部分形成于该基板中；一闸结构，用以控制电信号穿过该主体在该第一功率端子与该第二功率端子之间的传送；该结构还包括一肖特基二极体，其包括：一阳极；一阴极，其包括该基板，及在该阴极与该阳极之间的一肖特基障壁，该肖特基障壁位于该基板与该叠层体中之一阳极层之间。