用于后段制程操作有效之剥离溶液

摘要

本发明系提供可用于剥离方法之后段制程(BEOL)剥离溶液，其可取代蚀刻抗蚀剂灰化法。该等剥离溶液适用于在半导体装置上装配电路及/或形成电极以使半导体积体电路具有良好效率及低且可接受之金属蚀刻率。同样地提供其等之使用方法。该等较佳剥离溶液含有极性非质子性溶剂、水、胺及第四氢氧化物(其并非氢氧化四甲铵)。进一步提供根据这些方法所制成之积体电路装置及电子互连结构。

主权项

一种用于自基板移除抗蚀剂(resist)之剥离溶液，其包含极性非质子性溶剂、水、胺、及约2重量%至约10重量%之第四氢氧化物，其中该第四氢氧化物具有下式：其中Z为P且R1、R2、R3、及R4为烷基、苄基、芳基基团或其等总共具有至少5个碳的组合。