Integrierte Schaltungen und Verfahren zum Herstellen von integrierten Schaltungen mit Metall-Gate-Elektroden

摘要

Es werden integrierte Schaltungen und Verfahren zum Herstellen von integrierten Schaltungen angegeben. In einer beispielhaften Ausführungsform umfasst ein Verfahren zum Herstellen von integrierten Schaltungen das Vorsehen eines Opfer-Gate-Aufbaus über einem Halbleitersubstrat. Der Opfer-Gate-Aufbau umfasst zwei Abstandshalter und ein Opfer-Gate-Material zwischen den zwei Abstandshaltern. Das Verfahren vertieft einen Teil des Opfer-Gate-Materials zwischen den zwei Abstandshaltern. Obere Bereiche der zwei Abstandshalter werden geätzt, wobei das Opfer-Gate-Material als eine Maske verwendet wird. Das Verfahren umfasst das Entfernen eines verbleibenden Teils des Opfer-Gate-Materials und das Freilegen von unteren Bereichen der zwei Abstandshalter. Ein erstes Metall wird zwischen den unteren Bereichen der zwei Abstandshalter deponiert. Ein zweites Metall wird zwischen den oberen Bereichen der zwei Abstandshalter deponiert.