发明名称 |
低内应力铜电镀方法 |
摘要 |
本发明提供一种低内应力铜沈积物之铜电镀方法。铜电镀浴中促进剂之浓度作为镀覆电流密度之函数而改变以及将低内应力铜沈积物视为消光铜沈积物。 |
申请公布号 |
TWI449814 |
申请公布日期 |
2014.08.21 |
申请号 |
TW101132958 |
申请日期 |
2012.09.10 |
申请人 |
罗门哈斯电子材料有限公司 美国 |
发明人 |
阿蒂斯 乔治R;韩 盖瑞;卡瑞耶 那尔斯莫尔 |
分类号 |
C25D3/38 |
主分类号 |
C25D3/38 |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
主权项 |
一种方法,包括:a)以包括一种或多种铜离子源、一种或多种抑制剂以及提供消光外观之铜沈积物之足够量的一种或多种促进剂之组成物接触基板;以及b)施加电流至基板,以达成整个基板之电流密度等于或低于消光电流密度最大值(Matt CDmax),以沈积消光外观之铜至该基板上。 |
地址 |
美国 |