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IGBT (200), umfassend: einen Zellenbereich (205) und einen Randabschlussbereich (210) an einer ersten Seite (215) einer Halbleiter-Driftzone (220) eines ersten Leitfähigkeitstyps; ein Emittergebiet (225) eines zweiten Leitfähigkeitstyps an einer zweiten Seite (230) der Driftzone (220), wobei das Emittergebiet (225) gegenüber dem Zellenbereich (205) angeordnet ist; wenigstens ein zweites Gebiet (235) eines zweiten Leitfähigkeitstyps an der zweiten Seite (230) der Driftzone (220), wobei das wenigstens eine zweite Gebiet (235) gegenüber dem Zellenbereich (205) angeordnet ist, eine laterale Abmessung aufweist, die kleiner ist als die laterale Abmessung des Emittergebiets, und derart gestaltet ist, dass es Ladungsträger in die Driftzone injiziert; und ein drittes Gebiet (250) vom zweiten Leitfähigkeitstyp an der zweiten Seite (230) der Driftzone (220), wobei das dritte Gebiet (250) in einem Bereich angeordnet ist, der wenigstens einen Teil sowohl des Emittergebiets (225) und des wenigstens einen zweiten Gebiets (235) umfasst, und wobei eine maximale Dotierstoffkonzentration des dritten Gebiets (250) kleiner ist als die maximale Dotierstoffkonzentration des Emittergebiets (225). |
