Superjunction-Halbleitervorrichtung mit Implantationszonen

摘要

In einem Halbleitersubstrat mit einer ersten Oberfläche (101) und einer zur ersten Oberfläche (101) parallelen Arbeitsoberfläche werden säulenartige erste und zweite Superjunctionbereiche (121, 122) gebildet. Die ersten und zweiten Superjunctionbereiche erstrecken sich in einer zur ersten Oberfläche (101) senkrechten Richtung und bilden eine Superjunctionstruktur. Der Halbleiterteilbereich (100) wird so gedünnt, dass nach dem Dünnen ein Abstand zwischen den ersten Superjunctionbereichen (121) und einer aus der Arbeitsoberfläche erhaltenen zweiten Oberfläche (102) 30 µm nicht überschreitet. In die zweite Oberfläche (102) werden Dotierstoffe implantiert, um eine oder mehrere Implantationszonen zu bilden. Die Ausführungsformen kombinieren Superjunctionansätze mit durch Dünnwafertechnologie ermöglichter Rückseitenimplantation.