| 发明名称 |
外延基板 |
| 摘要 |
本发明涉及一种用于成长发光二极体磊晶结构的外延基板。该外延基板具有一个第一表面，发光二极体磊晶结构外延生长在该外延基板的第一表面上。该第一表面上形成有至少一第一凹槽，以使该外延基板成长的发光二极体磊晶结构具有至少两个以上的发光峰值。 |
| 申请公布号 |
TWI450418 |
申请公布日期 |
2014.08.21 |
| 申请号 |
TW099128348 |
申请日期 |
2010.08.24 |
| 申请人 |
荣创能源科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 |
发明人 |
黄世晟;凃博闵;杨顺贵;黄嘉宏 |
| 分类号 |
H01L33/22 |
主分类号 |
H01L33/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种用于成长发光二极体磊晶结构的外延基板，所述外延基板具有一个第一表面，发光二极体磊晶结构外延生长在所述外延基板的第一表面上，其中，所述外延基板的第一表面上形成有至少一第一凹槽，以使所述外延基板成长的发光二极体磊晶结构具有至少两个以上的发光峰值。 |
| 地址 |
新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 |
