| 发明名称 |
金属基带上适用于REBCO超导层生长的模板制备方法 |
| 摘要 |
本发明是一种金属基带上适用于REBCO超导层生长的模板制备方法，属于高温超导材料制备技术领域。本发明包括以下步骤：（1）金属基带表面清洗；（2）采用化学溶液平坦化方法（SDP）在金属基带上制备隔离层；（3）采用离子束辅助射频磁控溅射方法(IBAD-MgO)在隔离层上制备双轴织构氧化镁层；（4）采用射频磁控溅射方法制备锰酸镧层；（5）采用直流磁控反应溅射方法制备氧化铈层。本发明通过物理与化学制备方法的综合应用，为规模化生产高温超导带材模板提供了一种低成本制备方法。 |
| 申请公布号 |
CN103993277A |
申请公布日期 |
2014.08.20 |
| 申请号 |
CN201410217749.1 |
申请日期 |
2014.05.22 |
| 申请人 |
赵遵成 |
发明人 |
赵遵成;田晓光;卢涛;杨广军 |
| 分类号 |
C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/02(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种金属基带上适用于REBCO超导层生长的模板制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1) 金属基带表面清洗；(2) 采用化学溶液平坦化方法（SDP）在金属基带上制备隔离层；(3) 采用离子束辅助射频磁控溅射方法(IBAD‑MgO)在隔离层上制备双轴织构氧化镁层；(4) 采用射频磁控溅射方法在双轴织构氧化镁层上制备锰酸镧层；(5) 采用直流磁控反应溅射方法在锰酸镧层上制备氧化铈层。 |
| 地址 |
475004 河南省开封市金明大道1号河南大学物理与电子学院 |
