发明名称 与用于异质结双极晶体管工艺中金属化的阻挡层有关的装置和方法
摘要 所公开的是与用于诸如磷化铟镓(InGaP)的选择的半导体的金属化的阻挡层有关的结构和方法。在一些实施例中,所述阻挡层可包括氮化钽(TaN)。这种阻挡层可提供期望的特性,比如阻挡功能性、改善的金属层粘附性、降低的扩散性、金属与InGaP之间的降低的反应性以及制造过程中的稳定性。在一些实施例中,以这种方式形成的结构可被构造为砷化镓(GaAs)异质结双极晶体管(HBT)的发射极或片上高值电容元件。在一些实施例中,一些前述结构可被构造为具有代表该发射极层厚度的电容值的电容元件。相应地,在不同HBT工艺中监测这种电容值允许监测发射极层的完好性。
申请公布号 CN103999224A 申请公布日期 2014.08.20
申请号 CN201280062235.2 申请日期 2012.11.14
申请人 天工方案公司 发明人 C.西斯马卢;小彼得.J.赞帕蒂
分类号 H01L29/73(2006.01)I;H04B1/00(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I 主分类号 H01L29/73(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 邱军
主权项 一种金属化结构,包括:选择的半导体层,包括与砷化镓(GaAs)晶格匹配的宽带隙半导体;氮化钽(TaN)层,形成在所述选择的半导体层之上;以及金属层,形成在所述TaN层之上,所述TaN层形成所述金属层和所述选择的半导体层之间的阻挡层。
地址 美国马萨诸塞州