发明名称 | 多层式掩模 | ||
摘要 | 本发明首先涉及到一种在CVD反应器(1)的处理室(2)中的能放置在基材(13)上的掩模(3),在处理室中在支承至少一个基材(13)的基座(14)的上方形成竖直的温度梯度,所述掩模具有掩模体(4),其高度维度(H)比其平面维度延伸小很多,并具有至少一个窗口(5),所述窗口的边缘(6)决定了沉积在基材(13)上的层(15)的边缘(16)。为了改善特别是在边缘区域内的层生长的质量,建议掩模体(4)在高度维度方向(H)上具有互相重叠的层(7、8、9、10)并且在高度维度方向(H)上具有比在平面维度方向上更小的导热性。此外本发明还涉及该掩模的应用。 | ||
申请公布号 | CN103993291A | 申请公布日期 | 2014.08.20 |
申请号 | CN201410192578.1 | 申请日期 | 2014.02.18 |
申请人 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 发明人 | J·帕恩克;M·格斯多尔夫 |
分类号 | C23C16/04(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/04(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 侯宇 |
主权项 | 一种在化学气相沉积反应器(1)的处理室(2)中能放置在基材(13)上的掩模(3),在所述处理室中,在支承至少一个基材(13)的基座(14)的上方形成竖直的温度梯度,所述掩模具有掩模体(4),所述掩模体的高度维度(H)比其平面维度小很多,并具有至少一个窗口(5),所述窗口的边缘(6)决定了沉积在所述基材(13)上的层(15)的边缘(16),其中,所述掩模体(4)在高度维度方向(H)上具有互相重叠的层(7、8、9、10),并且在高度维度方向(H)上具有比在平面维度方向上更小的导热性,其中,在所述直接互相重叠放置的层(7、8、9、10)之间设有自由空间(22),所述自由空间减少所述直接互相重叠放置的层之间的热传递,其特征在于,所述直接互相重叠放置的层(7、8、9、10)仅仅部分地在岛状的接触区上接触,并且在所述接触区之间形成自由空间(22)。 | ||
地址 | 德国黑措根拉特 |