发明名称 |
加栅场板增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种加栅场板增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法,所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、p型GaN层、栅电极、源电极、漏电极、栅场板、绝缘层、钝化层以及用于调节沟道电场的硅化物。AlGaN掺杂层位于本征AlGaN层之上,p型GaN层位于AlGaN掺杂层之上,源漏电极以及绝缘层位于AlGaN层之上,栅电极位于p型GaN层之上,硅化物位于绝缘层之上。在衬底上外延生长增强型AlGaN/GaN异质结材料,并在该结构上形成源极和漏极,然后淀积一层绝缘层,在绝缘层上,形成硅化物,将厚绝缘层上的硅化物与栅极电连接形成栅场板结构;栅极下方存在p-GaN外延层,形成增强型器件。最后淀积钝化层实现器件的钝化。本发明具有器件频率高,工艺重复性和可控性高的优点。 |
申请公布号 |
CN103996707A |
申请公布日期 |
2014.08.20 |
申请号 |
CN201410024945.7 |
申请日期 |
2014.01.20 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
冯倩;杜锴;代波;张春福;梁日泉;郝跃 |
分类号 |
H01L29/778(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/778(2006.01)I |
代理机构 |
北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 |
代理人 |
董芙蓉 |
主权项 |
一种加栅场板增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构,其特征在于:所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、p型GaN层、栅电极、源电极、漏电极、栅场板、绝缘层、钝化层以及用于调节沟道电场的硅化物;所述AlGaN掺杂层位于本征AlGaN层之上,p型GaN层位于AlGaN掺杂层之上,源漏电极以及绝缘层位于AlGaN层之上,栅电极位于p型GaN层之上,硅化物位于绝缘层之上;在衬底上外延生长增强型AlGaN/GaN异质结材料,并在该异质结材料上形成源极和漏极,然后淀积一层绝缘层,在绝缘层上的栅漏区域以及栅源区域间,形成硅化物,将厚绝缘层上的硅化物与栅极电连接形成栅场板结构;栅极下方存在p‑GaN外延层,形成增强型器件,最后淀积钝化层实现器件的钝化。 |
地址 |
710071 陕西省西安市太白南路2号 |