一种提高浅沟槽隔离介电质薄膜填充能力的方法

摘要

一种提高浅沟槽隔离介电质薄膜填充能力的方法，包括：接收预沉积薄膜硅片；在硅片中刻蚀出浅沟槽隔离结构并进行预处理；预填充衬底以形成预填充层；在预填充衬底后利用流动式化学气相沉积法部分填充浅沟槽隔离结构以形成浅沟槽隔离氧化物薄膜；沉积覆盖经过流动式化学气相沉积法部分填充之后浅沟槽隔离结构的上层薄膜；执行高温退火处理以提高浅沟槽隔离氧化物薄膜和上层薄膜的抗湿法刻蚀性能和致密性。本发明成功的解决了流动式化学气相沉积法在浅沟槽隔离中应用遇到的主要的技术问题，将流动式化学气相沉积法和高密度等离子化学气相沉积法或高深宽比工艺整合在一起，增加了浅沟槽隔离薄膜无空洞和无缝隙填充的工艺窗口。

主权项

一种提高浅沟槽隔离介电质薄膜填充能力的方法，其特征在于包括：第一步骤：接收预沉积薄膜硅片；第二步骤：在硅片中刻蚀出浅沟槽隔离结构并进行预处理；第三步骤：预填充衬底以形成预填充层；第四步骤：在预填充衬底后利用流动式化学气相沉积法部分填充浅沟槽隔离结构以形成浅沟槽隔离氧化物薄膜；第五步骤：沉积覆盖经过流动式化学气相沉积法部分填充之后浅沟槽隔离结构的上层薄膜；第六步骤：执行高温退火处理以提高浅沟槽隔离氧化物薄膜和上层薄膜的抗湿法刻蚀性能和致密性。