| 发明名称 | 离子注入工艺后的光刻胶层的去除方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种离子注入工艺后的光刻胶层的去除方法，用于将离子注入工艺后的光刻胶层去除，所述光刻胶层包括：交联层和位于交联层下方的剩余光刻胶层，包括：紫外光照射步骤，用于对所述交联层进行照射，改变所述交联层的性质；湿法清洗步骤，对改变性质后的交联层和剩余光刻胶层进行清洗以从半导体衬底的表面去除。本发明的方法，能够将光刻胶层去除，并且不会损伤半导体衬底，不会造成半导体衬底的电荷污染和缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN103996617A | 申请公布日期 | 2014.08.20 |
| 申请号 | CN201410254077.1 | 申请日期 | 2014.06.09 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 宋振伟;徐友峰;陈晋 |
| 分类号 | H01L21/266(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/266(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 王宏婧 |
| 主权项 | 一种离子注入工艺后的光刻胶层的去除方法，用于将离子注入工艺后的光刻胶层去除，所述光刻胶层包括：交联层和位于交联层下方的剩余光刻胶层，其特征在于，包括：紫外光照射步骤，用于对所述交联层进行照射，改变所述交联层的性质；湿法清洗步骤，对改变性质后的交联层和剩余光刻胶层进行清洗以从半导体衬底的表面去除。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||