发明名称 |
静电纺丝制备一维高缺陷NiO纳米线及其在催化方面的应用 |
摘要 |
本发明涉及高缺陷纳米线NiO的制备方法及其在光催化方面的应用。该方法主要特征在于以乙酸镍,N-N二甲基甲酰胺和聚乙烯吡咯烷酮作为前驱体,通过简单的静电纺丝的方法,在铝箔上合成许多一维的复合纳米线。然后经过非平衡态的煅烧过程,由于气相的逸出,产生孔洞空穴等,致使NiO纳米线表面产生大量的台阶和纽结等表面缺陷,降低表面能,使得NiO的高能面能够保存下来,大大地提高了催化效率。通过定义暴露的高能面原子密度,定量计算高能面原子密度,从而达到可控的提高光催化效率,这为以后的催化研究提供了方向。 |
申请公布号 |
CN103991914A |
申请公布日期 |
2014.08.20 |
申请号 |
CN201410253724.7 |
申请日期 |
2014.06.09 |
申请人 |
中国科学技术大学 |
发明人 |
向斌;沈梦;杨雷 |
分类号 |
C01G53/04(2006.01)I;B01J23/755(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01G53/04(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
王旭 |
主权项 |
一种一维NiO纳米线的制备方法,其特征在于以乙酸镍,N‑N二甲基甲酰胺和聚乙烯吡咯烷酮作为反应的前驱体。 |
地址 |
230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号 |