发明名称 静电纺丝制备一维高缺陷NiO纳米线及其在催化方面的应用
摘要 本发明涉及高缺陷纳米线NiO的制备方法及其在光催化方面的应用。该方法主要特征在于以乙酸镍,N-N二甲基甲酰胺和聚乙烯吡咯烷酮作为前驱体,通过简单的静电纺丝的方法,在铝箔上合成许多一维的复合纳米线。然后经过非平衡态的煅烧过程,由于气相的逸出,产生孔洞空穴等,致使NiO纳米线表面产生大量的台阶和纽结等表面缺陷,降低表面能,使得NiO的高能面能够保存下来,大大地提高了催化效率。通过定义暴露的高能面原子密度,定量计算高能面原子密度,从而达到可控的提高光催化效率,这为以后的催化研究提供了方向。
申请公布号 CN103991914A 申请公布日期 2014.08.20
申请号 CN201410253724.7 申请日期 2014.06.09
申请人 中国科学技术大学 发明人 向斌;沈梦;杨雷
分类号 C01G53/04(2006.01)I;B01J23/755(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C01G53/04(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 王旭
主权项 一种一维NiO纳米线的制备方法,其特征在于以乙酸镍,N‑N二甲基甲酰胺和聚乙烯吡咯烷酮作为反应的前驱体。
地址 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号