发明名称 |
制造存储电路堆栈和寻址存储电路的方法及对应堆栈和设备 |
摘要 |
本发明涉及一种用于制造存储电路堆栈的方法(10),其中该方法包括对至少两个存储电路的有效性进行测试的步骤(14)。根据本发明,该方法包括对每个存储电路进行配置的阶段(18),配置阶段包括在包含于堆栈中的每个存储电路的配置设备内写入与给堆栈中的存储电路所赋予的标识符相关的信息和与存储电路的有效性测试的结果相关的信息的步骤(110)。本发明也涉及一种用于对存储电路进行寻址的方法、一种存储电路堆栈和一种包含这样的堆栈的电子设备。 |
申请公布号 |
CN101971265B |
申请公布日期 |
2014.08.20 |
申请号 |
CN200980107973.2 |
申请日期 |
2009.02.23 |
申请人 |
格马尔托股份有限公司 |
发明人 |
P·格拉夫;M·蒂尔 |
分类号 |
G11C29/00(2006.01)I;G11C8/12(2006.01)I;G11C29/44(2006.01)I;G06F12/06(2006.01)I;G11C5/00(2006.01)I;H01L25/065(2006.01)I |
主分类号 |
G11C29/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
胡莉莉;李家麟 |
主权项 |
一种用于制造存储电路堆栈的方法(10),该方法包含对至少两个存储电路的有效性进行测试的步骤(14),其特征在于,该方法包含对每个存储电路进行配置的阶段(18),配置阶段包含在包括在堆栈内的每个存储电路的配置设备之内写入与给堆栈内的存储电路所赋予的标识符相关的信息和与对存储电路的有效性测试的结果相关的信息的步骤(110),其中,堆栈的至少两个存储电路来自至少两个有区别的晶片,以及其中,该方法包含准备每个晶片的阶段(12),准备阶段包含在存储电路的配置设备处对每个存储电路进行穿孔的步骤(16),以形成用于物理接入与每个存储电路相关的配置设备的至少一个孔。 |
地址 |
法国默东 |